Au sein des équipes de développement, vous serez en charge de la définition, de l'optimisation et de la qualification des procédés de croissance épitaxiale.
Dans ce cadre, vos missions principales seront notamment :
- Définir, proposer et réaliser les plans d'expériences de croissance épitaxiale afin d'atteindre les objectifs de performance des futures générations de microLED
- Piloter et optimiser les procédés de croissance sur équipements MOCVD et/ou MBE
- Analyser les résultats de caractérisation matériaux (XRD, AFM, PL, SEM, etc.) afin d'ajuster les paramètres de croissance et améliorer les propriétés des couches épitaxiées
- Assurer le suivi technique, la qualification et l'amélioration des équipements d'épitaxie en collaboration avec les équipes équipements et maintenance
- Collaborer étroitement avec les équipes Caractérisation, Design, Device et Process afin de garantir la conformité des structures développées aux exigences du produit final
- Contribuer à la capitalisation des connaissances et à la documentation des développements technologiques liés aux matériaux III-N sur silicium
- Participer activement aux démarches d'amélioration continue visant à renforcer la reproductibilité des procédés et à optimiser les rendements de fabrication
Le profil recherché
Vous êtes titulaire d'un Doctorat (Bac +8) en Science des matériaux, Physique des semi-conducteurs, Microélectronique ou domaine équivalent. Un diplôme de niveau Master pourra également être considéré sous réserve d'une expérience significative dans le domaine.
Vous justifiez d'au moins trois années d'expérience en croissance épitaxiale de semi-conducteurs, idéalement dans un environnement salle blanche.
Vous possédez une solide expertise dans l'un des domaines suivants :
- Croissance MOCVD
- Croissance MBE
- Matériaux III-N (GaN, InGaN, AlGaN)
- Structures épitaxiées sur silicium
- Développement de procédés pour applications LED, microLED ou optoélectroniques
Vous maîtrisez les techniques de caractérisation matériaux telles que la diffraction des rayons X (XRD), la microscopie électronique à balayage (SEM), l'AFM ou la photoluminescence (PL).
Rigoureux(se), autonome et doté(e) d'un fort esprit scientifique, vous appréciez le travail expérimental et l'analyse approfondie des phénomènes physiques. Votre capacité à collaborer avec des équipes pluridisciplinaires sera un atout majeur pour réussir dans ce poste.
Un niveau d'anglais courant est indispensable afin d'évoluer dans un environnement R&D international.
Avantages
- Tickets restaurant
- Primes vacances
- Comité d'entreprise
- Excellente mutuelle
- Plan de formation individualisé
- Accompagnement personnalisé dans l'évolution de carrière
- Participation à des projets technologiques innovants dans le domaine des semi-conducteurs et des microLED
- Environnement industriel récent comprenant des salles blanches et des équipements de dernière génération
Vous vous reconnaissez dans cette annonce et souhaitez contribuer au développement des technologies optoélectroniques de demain ? N'hésitez plus, parlons-en !
Bienvenue chez In Genium
CONTEXTE
IN-GENIUM est une société de conseil en ingénierie qui accompagne ses clients industriels sur des projets techniques à forte valeur ajoutée.
Nous avons fait le choix de développer une structure à taille humaine, fondée sur la proximité, la qualité des échanges et un accompagnement personnalisé de nos consultants.
Chez IN-GENIUM, nous accordons une attention particulière à la cohérence des missions proposées, au suivi des parcours et à l'environnement de travail de nos équipes.
Dans le cadre du développement de nos activités dans les domaines de la microélectronique et de l'optoélectronique, nous recherchons un Ingénieur Épitaxie III-N (H/F) pour contribuer au développement de technologies microLED de nouvelle génération.
Vous intégrerez un environnement R&D de pointe dédié à la croissance de structures épitaxiées complexes sur silicium. Au coeur des développements technologiques, vous participerez à l'optimisation des procédés de croissance et à l'amélioration continue des performances des dispositifs optoélectroniques.